A，B，WSE2（a）和Mote2（a）和Mote2（b）的反射对比度（RC）作为B = 0 t和t = 1.6 K的填充因子和电场的函数。在A和B中显示了峰值RC和光谱RC和频谱集成的RC（在激子谐振上）。C，在e = 0.6 v/nm处的WSE2激子共振附近的RC光谱的填充因子依赖性。中性激子共振差不多，伴随着ν> 1的费米极性共振的外观表明，WSE2层在ν= 1上方孔掺杂。在不同的电场上重复测量的测量值在a中构建完整的图。带有掺杂的激子RC中的急剧下降有助于在A上构建黑色虚线，而WSE2在其上方掺杂了孔。D，E，在顶门电压下MOTE2激子共振的RC光谱vtg = -3 V（d）和VTG = -4.6 V（e）处的MOTE2激子共振附近的RC频谱的依赖性D，E。虽然仅将孔掺入D中的MOTE2层，但在E中的两个TMD层之间共享孔。与WSE2相似，当MoTe2被孔掺杂时（例如，D中的VBG = 3 V），中性激子共振（接近1.14 eV）会大大削弱。在ν= 1和2处的绝缘状态下，带电的激子共振得到了增强（例如，d中的绿色虚线）。在ν= 1附近也观察到了多个Moiré激子共振。在E中也观察到相似的结果，除了现在WSE2层也变成了孔掺杂。结果，VBG中有一个延长的跨度（受绿色虚线绑定并由箭头指示），表明Mote2层保持在绝缘状态（ν= 1 + X的Mott绝缘子和Moiré频带绝缘子，用于ν= 2 + X）。在不同的VTG处重复D和E中的测量值构造了b中的完整地图。E的扩展区域由E中的绿色虚线与黑色虚线一起在帮助识别b中的II和III中。
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