拓扑平坦带中的电子可以形成由相关效应驱动的新拓扑状态。表现出大约400 mk（参考文献1），否则，表现出了副菱形石墨烯/六角形氮化硼（HBN）MoiréSuperMaltratice（参考文献1），触发了MoiréFormection的作用和作用，可触发分数的量子异常霍尔效应（FQAHE）（参考文献1）。特别是，已经提出了具有非平凡拓扑的新电子晶体状态3,4,7,8,9,10,11,12,13,14,15。在这里，我们报告了在电子温度低于40 mk的电子温度下的菱形诉状和tetralayer石墨烯/HBNMoiré超晶格的电运输测量。我们观察到与先前报道的那些相比，在Pentalayer设备中，在Pentalayer设备中的分数量子异常状态（FQAH）态更小。在新的四边形设备中，我们在Moiré填充因子V = 3/5和2/3处观察到FQAHE。在基本温度下的小电流时，我们观察到了新的扩展量子异常大厅（EQAH）状态和磁性滞后，其中rxy = h/e2和消失的RXX跨度从0.5到1.3范围。在温度或电流升高时，EQAH状态消失并部分过渡到FQAH液体16,17,18。此外，我们观察到了从eqah状态到费米液体，FQAH液体和可能的复合费米液体的位移场诱导的量子相变。我们的观察结果建立了一个新的电子拓扑阶段，具有零磁场的量化大厅电阻，并在具有拓扑平坦的材料的材料中丰富了新兴的量子现象。
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