魔法扭曲的双层石墨烯中的Chern绝缘子密切相关_综合

　　电子与能量带的拓扑之间的相互作用可以创造物质的异常量子阶段。大多数拓扑电子相都出现在具有弱电子 - 电子相互作用的系统中。仅由于强烈相互作用而出现拓扑阶段的实例很少见，并且大部分限于在强烈的磁场中实现的那些相互作用。在魔术角扭曲的双层石墨烯（MATBG）中发现具有拓扑特征的平坦电子带创造了独特的机会，以寻找密切相关的拓扑阶段2,3,4,5,6,7,8,9。在这里，我们使用扫描隧道显微镜介绍了一种本地光谱技术，以检测MATBG中的一系列拓扑绝缘子，其Chern数字C =±1，±2和±3，该序列分别通过ModeSt Mainted Magnetics稳定在±3，±3，±2，±2和±1±1的填充因子。先前在此处检测到的阶段之一（C = +1）是在MATBG的sublattice对称性被六乙二醇硝酸硼故意破坏时观察到的，其中相互作用具有次级角色9。我们证明，仅强的电子 - 电子相互作用不仅可以产生先前观察到的相，而且还可以产生其他意外的Chern绝缘阶段。我们观察到的完整阶段序列可以通过假设有利于破坏时间反转对称性而形成由弱磁场稳定的Chern绝缘子来理解。我们的发现表明，多体相关性可以在Moiré系统中创建拓扑阶段，而不是从弱相互作用的模型中预期的拓扑阶段。

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