了解跨物质界面的热传输机制对于推进半导体技术至关重要，尤其是在极限密度下运行的微型设备中1,2。尽管从理论上建立了界面声子介导的过程3,4,5,6是半导体中界面热传输的主要机制，但由于测量温度和非平衡声子在跨埋入界面的界面8,9,9,10,101111中，它们的纳米级动力学在实验上仍然难以捉摸。在这里，我们通过在电子显微镜中使用原位振动电子损坏光谱（EEL）来克服这些局限性，以在热传输过程中跨Aln-SIC界面跨Aln-SIC界面，并绘制次纳米分辨率下的非平衡声子占用。我们观察到界面上约2 nm内的温度急剧下降，从而直接提取相对界面热电阻（ITR）。在热传输过程中，声子模式在界面处的导热率的不匹配会导致附近的大量非平衡声子，这使得界面模式的种群在向前和反向热流下不同，并导致ALN光学声子的模态温度发生明显变化。这些结果揭示了（子）纳米级的声子传输动力学，并建立了界面模式涉及的非弹性声子散射机制，为热接口工程提供了宝贵的见解。
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