魔法扭曲的双层石墨烯（MATBG）表现出一系列相关现象，这些现象来自强烈的电子 - 电子相互作用。当±1，±2和±3电子占据每个Moiré单位细胞时，这些相互作用使费米表面高度易于重建，并导致形成各种相关阶段1,2,3,4。尽管某些阶段已显示为非零的Chern数字5,6，但尚未确定许多其他阶段的局部微观特性和拓扑特性。在这里，我们介绍了一组技术，这些技术使用扫描隧道显微镜来绘制有限磁场中MATBG中出现的拓扑阶段。通过遵循静电掺杂和磁场在费米水平上状态的局部密度的演变，我们创建了一个局部Landau粉丝图，使我们能够将Chern数字直接分配给所有观察到的阶段。我们揭示了有限场中整数填充物产生的六个拓扑阶段的存在，它们源自相关性驱动的一系列对称性破坏过渡7,8。这些拓扑阶段只能在魔术角围绕较小的扭曲角形成，这进一步将它们与观察到的距电荷中立性的Landau水平区分开来。此外，我们观察到，即使是在低场处采取的电荷 - 中阴性Landau光谱也通过相互作用进行了很大的修改，表现出突出的电子 - 孔不对称性，并且在零Landau水平（约3至5毫米）之间具有出乎意料的大型分裂。我们的结果表明，强烈的电子相互作用如何影响MATBG谱带结构并导致支持相关的拓扑阶段。
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